Samsung Electronics သည် 4 Gb အရွယ်အစားရှိသည့် အဆင့်မြင့်ဆုံး DDR8 memory modules များကို အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်ခဲ့ပြီး ၎င်းတို့နှင့်အတူ ကော်ပိုရိတ်ဆာဗာများအတွက် ရည်ရွယ်သည့် ပထမဆုံး 32 GB DDR4 RAM modules များကို စတင်ထုတ်လုပ်လိုက်ပြီဖြစ်ကြောင်း Samsung မှ ကြေညာခဲ့သည်။ ဤ RAM အသစ်များကို ယနေ့ခေတ် အဆင့်မြင့်ဆုံး မိုဘိုင်းပရိုဆက်ဆာများပင် ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုသည့် လုပ်ငန်းစဉ်အသစ်ဖြစ်သည့် 20-nm ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်သစ်ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ Samsung မှ အဆိုပါ မမ်မိုရီမော်ဂျူးများသည် မျိုးဆက်သစ်ကော်ပိုရိတ်ဆာဗာများတွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ သိပ်သည်းဆမြင့်မားမှုနှင့် စွမ်းအင်ချွေတာမှုဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များအားလုံးကို ဖြည့်ဆည်းပေးထားကြောင်း Samsung မှ ပြောကြားခဲ့သည်။
ထို့အပြင်၊ 8Gb DDR4 modules အသစ်များဖြင့် Samsung သည် 20-nm ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသော DRAM module များ၏ line-up တစ်ခုလုံးကို အပြီးသတ်ခဲ့သည်။ ယနေ့တွင်၊ ဤစီးရီးတွင် မိုဘိုင်းစက်ပစ္စည်းများအတွက် 6Gb LPDDR3 နှင့် PCs အတွက် 4Gb DDR3 မော်ဂျူးများ ပါဝင်သည်။ ထို့နောက် အထက်တွင်ဖော်ပြခဲ့သည့်အတိုင်း Samsung သည် 32GB RDIMM memory module များကို စတင်ထုတ်လုပ်နေပြီဖြစ်ပြီး pin တစ်ခုလျှင် 2 Mbps ဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည် 400% တိုးလာကာ server DDR29 memory ၏ 1 Mbps နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စွမ်းဆောင်ရည် 866% တိုးမြင့်လာပါသည်။ ဒါပေမယ့် ဒီနည်းပညာရဲ့ စွမ်းဆောင်နိုင်ရည်တွေက 3 GB မှာ ရပ်တန့်မနေဘဲ 32D TSV နည်းပညာကို အသုံးပြုပြီး 3 GB အထိ memory module တစ်ခုကို တီထွင်နိုင်ခဲ့တယ်လို့ Samsung က ဆိုပါတယ်။ ဤ DDR128 ချစ်ပ်များသည် လက်ရှိဖြစ်နိုင်ချေ အနိမ့်ဆုံးဗို့အား 4 ဗို့ လိုအပ်သောကြောင့် မော်ဂျူးအသစ်များ၏ အားသာချက်မှာ သုံးစွဲမှုနည်းပါသည်။
//
//
*အရင်းအမြစ်- Samsung
