ပရာ့ဂ်၊ မတ် ၁၁၊ ၂၀၁၄ - အဆင့်မြင့်မှတ်ဉာဏ်နည်းပညာတွင် ကမ္ဘာ့ခေါင်းဆောင်ဖြစ်သော Samsung Electronics Co., Ltd. သည် Embedded MultiMedia နည်းပညာကို အခြေခံထားသည့် မိုဘိုင်းပစ္စည်းများအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် 128GB 3bit NAND သိုလှောင်မှုကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။Card (eMMC) 5.0။ စမတ်ဖုန်းများကြားတွင် ထင်ရှားကျော်ကြားသူများသည် Universal Flash Storage (UFS) 128 သို့မဟုတ် EMMC 2.0 စံနှုန်းများကို အခြေခံ၍ 5.1GB မမ်မိုရီသိုလှောင်မှုသို့ ပြောင်းလဲနေပြီဖြစ်သည်။ အလားတူပင်၊ အလယ်အလတ်တန်းစားစမတ်ဖုန်းများပင်လျှင် ၎င်းတို့၏စွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်တော့မည်ဖြစ်သည်။ 128 GB ကို repository အသစ်ကို ကျေးဇူးတင်ပါတယ်။ Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. ဒီ memory chip ပါရှိပါတယ်။ အကြီးဆုံးစွမ်းရည် eMMC 5.0 စံနှုန်းအတွင်း။
"ကျွန်ုပ်တို့၏ NAND-based 3bit eMMC 5.0 စီးရီးကို စတင်ခြင်းဖြင့်၊ စွမ်းရည်မြင့် မိုဘိုင်းသိုလှောင်မှု တိုးချဲ့မှုတွင် ကျွန်ုပ်တို့ ဦးဆောင်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မိုဘိုင်းဖုန်းစက်မှုလုပ်ငန်းတစ်လျှောက် ကြီးထွားလာနေသော သုံးစွဲသူများ၏ လိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းရည်များဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ မိုဘိုင်းမမ်မိုရီကမ်းလှမ်းမှုကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေပါသည်။" ဒေါက်တာက ပြောသည်။ Samsung Electronics မှ Memory Product Planning and Application Engineering team ၏ အကြီးတန်းဒုတိယဥက္ကဌ Jung-Bae Lee
ဆက်တိုက်ဖတ်ခြင်း။ Samsung မှ 128GB eMMC 5.0 သိုလှောင်မှုအသစ်၏ဒေတာသည် အရှိန်ဖြင့်လည်ပတ်နေသည်။ 260 MB / s. ၎င်းသည် NAND-based MLC eMMC 5.1 မမ်မိုရီနှင့် တူညီသောစွမ်းဆောင်ရည်ဖြစ်သည်။ ကြုံသလို ရေးတတ်ဖတ်တတ်အောင် စွမ်းဆောင်နိုင်ပါတယ်။ je 6000 IOPSအသီးသီး 5000 IOPSမြင့်မားသော ကြည်လင်ပြတ်သားသော ဗီဒီယိုများနှင့် အဆင့်မြင့် multitasking လုပ်ဆောင်ချက်များကို ပံ့ပိုးရန် လုံလောက်သော မြန်ဆန်သည်။ ပြင်ပမမ်မိုရီကတ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဤစာဖတ်ခြင်းနှင့် ရေးခြင်းအမြန်နှုန်းမှာ အနီးစပ်ဆုံးဖြစ်သည်။ ၄ ကြိမ် a ၁၀ ဆ ပိုများတယ်။.
3bit eMMC 5.0 စီးရီးအသစ်သည် ဒေတာစင်တာများ၊ ဆာဗာများနှင့် ကွန်ပျူတာများအတွက် SSDs များကို မိုဘိုင်းသိုလှောင်မှုဈေးကွက်တစ်ခုလုံးသို့ ထောက်ပံ့ပေးခြင်းမှ Samsung ၏ လုပ်ငန်းကို ချဲ့ထွင်စေသည်။ Samsung သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး စွမ်းရည်မြင့်ဖြေရှင်းနည်းများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုမှတစ်ဆင့် 3-bit NAND Flash မှတ်ဉာဏ်များကို ဆက်လက်မိတ်ဆက်သွားမည်ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏မှတ်ဉာဏ်နည်းပညာလုပ်ငန်း၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို ဆက်လက်အားကောင်းစေမည်ဖြစ်သည်။
//
//
