တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဌာနခွဲ Samsung Foundry က ၎င်းသည် Hwasong ရှိ ၎င်း၏စက်ရုံတွင် 3nm ချစ်ပ်များကို စတင်ထုတ်လုပ်လိုက်ပြီဖြစ်ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ FinFet နည်းပညာကို အသုံးပြုခဲ့သည့် ယခင်မျိုးဆက်များနှင့် မတူဘဲ ယခုအခါ ကိုရီးယားကုမ္ပဏီကြီးသည် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ တိုးမြှင့်ပေးသည့် GAA (Gate-All-Around) transistor ဗိသုကာကို အသုံးပြုထားသည်။
MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA ဗိသုကာပါရှိသော 3nm ချစ်ပ်ပြားများသည် ထောက်ပံ့မှုဗို့အားကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် အခြားအရာများထဲမှ ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို ရရှိမည်ဖြစ်သည်။ Samsung သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် စမတ်ဖုန်း ချစ်ပ်ဆက်များအတွက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်များတွင် nanoplate transistor ကို အသုံးပြုပါသည်။
ဓာတ်ပုံမှတ်တမ်း
nanowire နည်းပညာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုကျယ်သော လိုင်းများပါရှိသော နာနိုပလိတ်များသည် စွမ်းဆောင်ရည် ပိုမိုမြင့်မားပြီး စွမ်းဆောင်ရည် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ နာနိုပလိတ်များ၏ အကျယ်ကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် Samsung ဖောက်သည်များသည် စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုကို ၎င်းတို့၏ လိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ ချိန်ညှိနိုင်သည်။
သင်စိတ်ဝင်စားနိုင်သည်။
Samsung ၏အဆိုအရ 5nm ချစ်ပ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အသစ်များသည် စွမ်းဆောင်ရည် 23% မြင့်မားပြီး၊ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု 45% နှင့် ဧရိယာ 16% ပိုနည်းပါသည်။ ၎င်းတို့၏ 2nd မျိုးဆက်သည် 30% ပိုကောင်းသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ 50% ပိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် 35% ပိုသေးငယ်သောဧရိယာကိုပေးဆောင်သင့်သည်။
“ထုတ်လုပ်ရေးမှာ မျိုးဆက်သစ်နည်းပညာတွေကို အသုံးချမှုမှာ ဦးဆောင်မှုကို ပြသနေတာကြောင့် Samsung ဟာ အရှိန်အဟုန်နဲ့ တိုးတက်နေပါတယ်။ MBCFETTM ဗိသုကာလက်ရာဖြင့် ပထမဆုံး 3nm လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဤခေါင်းဆောင်မှုကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အပြိုင်အဆိုင်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုများတွင် တက်ကြွစွာ ဆန်းသစ်တီထွင်ပြီး နည်းပညာရင့်ကျက်မှု အောင်မြင်မှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးမည့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို ဖန်တီးပေးပါမည်။” Samsung ၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်း အကြီးအကဲ Siyoung Choi က ပြောကြားခဲ့သည်။
